3)第三十三章 碳纳米管提纯的难题_黑科技:开局攻克I5芯片
字体:      护眼 关灯
上一章 目录 下一章
  ,碳基米管它本身是一种性能优异的半导体材料,两端接上金属可以产生接界电压,这种接界电压让电流只能单向流过,类似于普通芯片中的半导体晶体管。”

  “做个简单的比喻,一个球是可以在平面上自由滚动的,但如果是在斜坡上滚动,可能就没有那么容易了。”

  “斜坡的产生可能有两种情况,一种是凹字形状,就是中间低两边高。小球想要从一边流向另一边,就必须让凹进去的哪一部分抬高,中间部分和两边在同一水平面时,小球就可以顺利通过。这就需要有一个比较大的推力将中间部分抬上去,通常的做法是在中间部位上方加一个电场。”

  “第二种情况就是凸字形状,也就是中间高两边低。这种情况下就需要加入一个排斥力,让中间的部分凹下去,形成和两边一样高的平面,这样小球就能在这个平面上顺利通过。”

  “两边一个叫源极也就是输入端,一个叫漏极叫做输出端,中间就是一个门,如果这个门打不开,电流就不能通过,一旦给门上施加一定电压,就可以轻松把门打开,实现电流流动。”

  “不管是碳纳米管,还是硅半导体,都是利用这样的原理。”

  陈渊停顿了一下,喝了口茶。

  “而碳基芯片,就是把中间的那个流通通道换成了碳纳米管,同时两边的源和漏中掺杂的不再是之前硅基芯片中所使用的硅材料,而是一种特殊金属,利用这种特殊的金属材料和碳纳米管之间的接界电压,就可以制作成半导体晶体管。”

  “但问题就出现在这里,我们无法有效的对碳元素提纯,如果只是单一的研究,我们可以很细致的研发出最好的碳纳米管,可如果是批量生产呢?”

  听完陈渊长篇大论后,在场众人都陷入了思考。

  再好的技术,再好的碳纳米管,制成再好的芯片,如果不能批量生产,那都是没有意义的研究。

  如果卡在提纯上面,那基于碳纳米管的N型晶体管和P型晶体管也很难有效的实现出来。

  这些都是制造集成电路的基本零件。

  “碳这个东西比较活泼,提纯难度确实很大。不过我们可以尝试一下基于小分子和水相溶剂进行碳纳米管的提纯和排布。”陈清院士发表了自己的想法。

  他走到台上,拉上投影布,将黑板打开,接着用水笔在上面书写着相关数据和分子解构,“这种提纯的原理主要是采用小分子吸附在碳纳米管表面,通过色谱层析或双相萃取等方式,实现碳纳米管的提纯。”

  陈渊站在一旁思考了起来,此时的他几乎和其他人一样,都抛开了自己本身的身份,以及性格,转换成一种极其认真的态度中。

  “这种方法其实我不是没有想过,但目前的产率较低,而且纯度一般低于%。不过我们可以尝试在提纯的过程中优化一下。”

  “确实是这样。”陈清点头道,他并不在乎自己的提议会不会被接受,实际上研究高新技术就是如此,只有不断的提出解决方案,不断的试错,才可能走上一条正确的路。

  就算陈清从一开始就知道这种提纯方法的弊端,但他还是想要尝试一下。

  毕竟此刻为此奋斗的人不止他一个。

  还有陈渊,以及目光所及之处的每一个人。

  请收藏:https://m.mfxsw.cc

(温馨提示:请关闭畅读或阅读模式,否则内容无法正常显示)

上一章 目录 下一章